日本napson阶段集成式半自动四探针测量仪

测量规格

测量对象

• 与半导体/太阳能电池材料有关（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
• 导电薄膜相关（金属，ITO等）
• 扩散样品硅外延，离子注入样品
• 其他（*请联系我们）

测量尺寸

〜8英寸，或〜156x156mm

测量范围

[电阻率（电阻率）] 1 m至300 kΩ·cm 
[板电阻] 5 m至10 MΩ/ sq

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高规格类型的电阻率（比电阻）/薄层电阻半自动四探针法测量仪器

产品名称：RT-3000 / RG-2000（RG-3000）

产品图片（可根据客户要求进行各种定制）

产品特点

• 具有世界醉高电阻测量范围的4探针测量仪
• 用于圆/方测量的可编程测量模式和绘图软件
• 自检功能，厚度/周边位置/温度校正功能（用于硅）
• 根据电阻范围从2种类型的测试仪中选择
• （RT-3000（S）：宽范围，RT-3000（H）：高电阻范围）

测量规格

测量对象

• 与半导体/太阳能电池材料有关（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
• 导电薄膜相关（金属，ITO等）
• 扩散样本
• 硅基薄膜（LTPS等），IGZO
• 硅基外延离子注入样品
• 其他（*请联系我们）

测量尺寸

〜8英寸，或〜156x156mm 

・选件（兼容大直径尺寸：RG-3000型）：〜12英寸，〜210×210mm

测量范围

①RT-3000（S）；
[电阻率（电阻率）] 100μ- 1MΩ·cm 
[层电阻] 1m- 
10MΩ / sq②RT-3000（H）；
[层电阻] 10m-1GΩ/ sq

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平板（液晶等）电阻率（比电阻）/薄层电阻的半自动测量

商品名称：RG-100PV

产品图片（可根据客户要求进行各种定制）

产品特点

• 用于玻璃基板上薄膜的4探针半自动测量仪
• XY轴机械平台
• 对于平面内多点测量，均匀螺距或随机螺距的可选设置，已安装2-D / 3-D映射软件

测量规格

测量对象

• 与半导体/太阳能电池材料有关（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
• 导电薄膜相关（金属，ITO等）
• 扩散样品硅薄膜（LTPS等），IGZO
• 硅基外延离子注入样品
• 与化合物半导体有关的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
• 其他（*请联系我们）

测量尺寸

大300 x 300毫米（可选;大500 x 500毫米）

测量范围

[电阻率（比电阻）] 1 m至200Ω·cm 
[板电阻] 1 m至1,000kΩ/ sq（可选；醉高10 MΩ/ sq）

日本napson阶段集成式半自动四探针测量仪