日本napson半自动4探针薄层电阻测试仪

日本napson半自动4探针薄层电阻测试仪

测量规格

测量目标

• 与半导体/太阳能电池相关的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
• 导电薄膜相关（金属，ITO等）
• 扩散样品硅基外延离子注入样品
• 其他（*请与我们联系）

测量尺寸

〜8英寸，或〜156x156mm

测量范围

[电阻（比电阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板电阻] 5m至10MΩ/ sq

测量规格

测量目标

• 与半导体/太阳能电池相关的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
• 导电薄膜相关（金属，ITO等）
• 扩散样品硅基外延离子注入样品
• 其他（*请与我们联系）

测量尺寸

〜8英寸，或〜156x156mm

测量范围

[电阻（比电阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板电阻] 5m至10MΩ/ sq

测量规格

测量目标

• 与半导体/太阳能电池相关的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
• 导电薄膜相关（金属，ITO等）
• 扩散样品硅基外延离子注入样品
• 其他（*请与我们联系）

测量尺寸

〜8英寸，或〜156x156mm

测量范围

[电阻（比电阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板电阻] 5m至10MΩ/ sq

日本napson半自动4探针薄层电阻测试仪