日本 DTS Vega 多孔烧结金刚石砂轮

日本 DTS Vega 多孔烧结金刚石砂轮

日本 DTS Vega 多孔烧结金刚石砂轮

设备基础规格

• 粘结剂类型：多孔玻璃粘结

• 粒度规格：#1000~#3000，适配粗加工场景

• 测试砂轮尺寸：246D‑2.8W‑32P

• 适用研磨机：HRG300 东京精密研磨机

• 砂轮转速：2000rpm‑2500rpm

• 切入速度：0.6μm/sec

• 单次切入量：150μm

• 加工对象：SiC、GaN、GaAs、LT/LN 硬质半导体基材

• 加工后表面粗糙度：Ra17nm‑20nm

核心产品特性 ，依托的磨料组织控制技术打造，专门针对 SiC 这类高硬度难加工半导体材料开发，解决传统金刚石砂轮磨损严重、加工成本偏高的行业痛点。产品分为重视研磨性能、重视使用寿命两种版本，砂轮磨损率可以控制在 15% 以下，相比传统产品大幅延长使用寿命，单轮可加工晶圆数量得到明显提升，帮助企业减少砂轮更换频次，压缩晶圆粗加工的综合生产成本。在 0.6μm/sec 的切入速度条件下，设备主轴负荷电流保持稳定，研磨工况平稳，6 英寸 SiC 晶圆可直接完成加工，省去频繁修整砂轮的工序，提升产线加工效率。砂轮采用多孔玻璃烧结结合结构，孔隙结构利于排屑，加工过程不易出现堵屑烧伤工件的现象，研磨完成后晶圆表面粗糙度可达 Ra17nm‑20nm，得到品质稳定的工件表面。该砂轮已经在 Si 面批量粗研磨、器件工序晶圆背面 C 面研磨场景落地实际应用，工艺经过量产验证，适配第三代半导体功率基板的量产产线，同时也可兼容 GaN、GaAs、LT/LN 等多种硬质晶体材料的平面研磨作业，通用性较强。

适用场景主要用于 SiC 碳化硅晶圆平面粗研磨加工，适配第三代半导体功率器件基板生产工序，同时可用于 GaN、GaAs、LT、LN 等硬质晶体基材的平面研磨，覆盖晶圆 Si 面粗磨、晶圆背面 C 面研磨等半导体制造工序，多用于半导体材料加工厂、功率器件制造产线的晶圆研磨工位。