日本Napson EC-80P非接触晶圆电阻率测试仪

日本Napson EC-80P非接触晶圆电阻率测试仪

日本Napson EC-80P非接触晶圆电阻率测试仪

设备基础规格

• 电阻率测量范围：1m ~ 200Ω・cm

• 方阻测量范围：10m ~ 3000Ω/sq

• 探头分类：低、中、高、S 高、太阳能晶圆 5 种规格探头可选

• 样品要求：直径大于 20mm，测量平面平整，不限外形

• 主机尺寸：宽 255 × 深 275 × 高 95mm，重量 4kg

• 探头尺寸：直径 20mm × 长度 80mm

• 操作方式：JOG 旋钮设置测量条件，单点自动测量

  核心产品特性

  EC-80P 采用非接触式涡流检测原理，实现无损检测，不会在样品表面留下划痕或损伤，适合高价值半导体外延片、薄膜材料检测。设备内置 3 种测量模式，可分别测定晶圆电阻率、体电阻率、面电阻率，适配不同材料检测需求。探头接触样品瞬间自动触发测量，简化操作流程，依靠 JOG 旋钮快速切换与设置测量参数，上手门槛低。配备 5 款可替换探头，分别对应低、中、高、超高阻以及太阳能电池专用测量区间，用户可根据待测样品导电特性自由更换探头，拓宽整机适用范围。整机为台式便携一体化设计，自带可翻转提手，便于在实验室、产线工位之间移动。设备支持单点测量，样品形状无强制限制，仅需保证待测区域平整且直径大于 20 毫米，片状、圆形样品均可检测。可用于导电薄膜、化合物半导体、新型碳材料的来料检验与工艺管控，实时监控镀膜、外延生长工艺稳定性，及时发现材料电阻率异常。

  适用场景

  适用于半导体实验室、光伏电池产线、新材料研发实验室，用于硅片、碳化硅、GaAs、GaN 外延片、ITO 导电膜、石墨烯、碳纳米管等材料的电阻率、方阻无损检测，完成来料检验、工艺稳定性监控与研发样品测试。