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日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪

产品名称: 日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪
产品型号: EC-80P
产品特点: 日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪
只需触摸手持式探头即可测量电阻。
在电阻/薄层电阻测量模式之间轻松切换
使用JOG拨盘轻松设置测量条件
连接到连接器的可替换电阻测量探头可支持多种电阻
(电阻探头:多可以使用2 + PN判断探头)

日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪 的详细介绍

日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪

 

 

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关(金属,ITO等)
硅基外延,离子与
半导体相关的注入样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*请与我们联系)

测量尺寸

无论样品大小和形状如何均可进行测量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

 

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探头类型的总范围/厚度500um)
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探头类型的总范围)

 

*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-​​cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太阳能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关(金属,ITO等)
硅基外延,离子与
半导体相关的注入样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*请与我们联系)

测量尺寸

无论样品大小和形状如何均可进行测量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

 

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探头类型的总范围/厚度500um)
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探头类型的总范围)

 

*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-​​cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太阳能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪

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