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日本 AVC 超高真空表面分析装置

产品名称: 日本 AVC 超高真空表面分析装置
产品型号: 定制系统
产品特点: 日本 AVC 超高真空表面分析装置
一款集成 LEED 衍射、奥杰分析、升温脱附分析的超高真空表面结构分析系统,专为半导体与触媒材料表征设计。

日本 AVC 超高真空表面分析装置 的详细介绍
日本 AVC 超高真空表面分析装置
日本 AVC 超高真空表面分析装置
这款装置是日本 AVC 针对表面科学研究开发的集成化超高真空分析系统,解决了传统分析设备功能单一、真空度不足的痛点,以模块化设计与高真空性能,为用户提供全面的材料表面表征方案。
系统集成 LEED/AES 质量分析仪,可实现低能电子衍射(LEED)与俄歇电子能谱(AES)分析,同时配备四重极质量分析计用于升温脱附分析,支持半导体、模型触媒等材料的表面结构与成分表征。蒸发源采用超高真空蒸发器 AEV 系列,可实现金属薄膜制备;氢裂解枪同样采用 AEV 系列,适配表面处理实验需求。

样品加热采用直接通电加热线式(TC 接触式样品支架),样品搬运机支持 X,Y,Z,θ 及面内回转轴的 5 轴操作,实现样品的多自由度精准定位。分析室真空度可达 10⁻⁸Pa(TMP 排气),可选 IP 排气系统实现 10⁻⁹Pa 超高真空;试样加载锁定装置标准配备,确保样品转移过程的真空密封性。燃气引入系采用高精度可变泄漏阀,可精确控制实验气体流量;超高真空排气控制系统支持全自动排气控制,通过触摸面板实现便捷操作。


核心性能与优势

  • 多分析功能集成:同时支持 LEED 衍射、AES 分析、升温脱附分析与金属薄膜制备,一站式完成材料表面表征。

  • 超高真空性能:分析室真空度可达 10⁻⁸Pa,可选配 IP 排气系统实现 10⁻⁹Pa,满足高洁净度实验需求。

  • 多自由度样品操控:5 轴样品搬运机支持 X,Y,Z,θ 及面内回转,实现样品的精准定位与多角度分析。

  • 模块化扩展设计:可根据实验需求选配蒸发源、氢裂解枪等模块,适配不同表面科学研究场景。

  • 全自动控制:触摸面板式全自动排气控制系统,简化实验操作流程,提升实验效率。


典型应用场景

  • 半导体材料表面结构与成分分析

  • 模型触媒材料的 LEED/AES 表征

  • 金属薄膜制备与表面处理实验

  • 材料升温脱附动力学研究


核心规格一览

表格
项目规格说明
表面分析系LEED/AES 质量分析仪
蒸发源超高真空蒸发器 AEV 系列
氢裂解枪AEV 系列
样品加热直接通电加热线式(TC 接触式样品支架)
样品搬运机X,Y,Z,θ, 面内回转轴 5 轴操作
升温脱附分析四重极质量分析计
燃气引入系高精度可变泄漏阀
分析室真空度10⁻⁸Pa(TMP 排气),可选 10⁻⁹Pa(IP 排气系统)
排气控制全自动排气控制(触摸面板)


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