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半导体制造应用台式非接触磁场测量高斯计

产品名称: 半导体制造应用台式非接触磁场测量高斯计
产品型号: F71
产品特点: 半导体制造应用台式非接触磁场测量高斯计
半导体制造应用 · 台式 · 高斯/特斯拉 · 非接触磁场
0.1 mG – 35 T · 0.01 % 精度 · 1 MHz 采样 · 重量 2.1 kg · 5 年寿命

半导体制造应用台式非接触磁场测量高斯计 的详细介绍

半导体制造应用台式非接触磁场测量高斯计

半导体制造应用台式非接触磁场测量高斯计

半导体制造应用 · 台式 · 高斯/特斯拉 · 非接触磁场
0.1 mG – 35 T · 0.01 % 精度 · 1 MHz 采样 · 重量 2.1 kg · 5 年寿命

一、产品定位

  • 半导体制造应用:离子注入、MOCVD、磁控溅射、磁夹具、晶圆搬运
  • 台式高斯计/特斯拉计:非接触磁场测量,0.1 mG – 35 T,台式 2.1 kg
  • F71 系列:0.1 mG – 35 T,0.01 % 精度,1 MHz 采样,5 年寿命

二、核心技术参数(F71)

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项目参数
测量范围0.1 mG – 35 T(全范围)
精度0.01 %(0.01 % RDG)
分辨率0.1 mG(0.1 mG,16 bit)
采样率1 MHz(1 MHz,实时)
频率范围DC – 50 kHz(AC 磁场)
温度系数< 10 ppm/°C(-10 – 60 ℃)
探头接口BNC + USB + RS-485(实时)
真空兼容≤ 1×10⁻⁴ Pa(真空版探头)
电源DC 24 V 2 A(含 100-240 V 适配器)
尺寸/重量200×150×45 mm,2.1 kg
寿命5 年(探头 + 主机)

三、功能亮点

  1. 0.1 mG – 35 T 全范围:从地球磁场到 35 T 全范围,半导体磁场全覆盖
  2. 0.01 % 超高精度:0.01 % RDG,磁场重复性 ≤ 0.01 mG
  3. 1 MHz 高速采样:1 MHz 实时采样,适合快速磁场变化
  4. ≤ 1×10⁻⁴ Pa 真空兼容:真空腔直接安装,无泄漏
  5. 2.1 kg 超轻:A5 底面积,可手提移动,实验室即用
  6. 5 年寿命:探头 + 主机,5 年免维护

四、典型应用系统

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半导体磁控溅射┌─ 真空腔体 ─┐│               │磁场← F71 ← 真空馈通 BNC│               │└─ PLC/DCS ────┘
  • 磁场 0.1 T – 1 T,0.01 % 精度,1 MHz 实时
  • RS-485 实时输出,PLC 闭环控制

五、实测数据(半导体验证)

  • 真空:1×10⁻⁴ Pa,25 ℃
  • F71:
    • 磁场 0.1 T(±0.01 %)
    • 采样 1 MHz(1 MHz)
    • 寿命 5 年(连续运行)

六、选型与配件

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件号说明
F71-VAC真空版(≤1×10⁻⁴ Pa)
F71-AIR大气版(标准)
F71-BNCBNC 探头(标准)
F71-RS485RS-485 输出(标准)

七、维护与可靠性

  • 探头:5 年寿命,免维护
  • BNC:年漂移 < 0.1 %,无需校准
  • 真空馈通:每月清洁一次
  • 整机 2 年质保,10 年配件保障


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