日本 AVC 超高真空 XPS 分析装置

系统配备半球型能量分析仪与单色 X 射线源，可进行高分辨率的 XPS 分析，实现材料表面元素组成、化学态与电子结构的精准表征。分析室附带免疫盾，有效抑制表面污染，确保分析结果的准确性。样品尺寸支持 10mm×10mm，角度分解能达 0.05°，可实现高精度的角度分辨 XPS 分析；试料 manipulator 采用 4 轴电机控制（X,Y,Z,θ），实现样品的多自由度精准定位。排气系统配置 IP/TSP 泵、TMP 泵与 SP 泵，确保分析室维持超高真空环境，避免表面污染。设备可与 MBE 装置等进行 docking 对接，无需破坏超高真空即可进行材料分析，实现外延生长与表面表征的一体化流程。

核心性能与优势

• 高分辨率 XPS 分析：半球型能量分析仪 + 单色 X 射线源，实现高分辨率表面成分与化学态分析。

• 超高真空环境保障：分析室带免疫盾，有效抑制污染，确保分析结果的可靠性。

• 多自由度样品操控：4 轴电机控制样品台，支持多角度、多位置的精准分析。

• 外延设备兼容设计：可与 MBE 装置真空对接，实现生长与分析的一体化流程。

• 高精度角度分辨：0.05° 角度分解能，支持角度分辨 XPS 分析，研究表面深度分布。

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典型应用场景

• 半导体、薄膜材料的表面元素组成与化学态分析

• 外延生长材料的原位 XPS 表征（与 MBE 装置对接）

• 催化剂、涂层材料的表面成分与价态研究

• 材料表面改性前后的化学结构变化分析

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核心规格一览