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日本 JUSTEM TME‑05 薄膜厚度测量仪

产品名称: 日本 JUSTEM TME‑05 薄膜厚度测量仪
产品型号:
产品特点: 日本 JUSTEM TME‑05 薄膜厚度测量仪
JUSTEM TME‑05 薄膜厚度测量仪,适配 3‑6 英寸 Si、SiC 晶圆,可检测晶片、粘合胶层厚度,搭载多孔石墨薄片台,采用分光干涉传感器,测量厚度区间 100‑1800μm,数据 CSV 存储,支持图形显示,摄像头外观拍摄可选购。

日本 JUSTEM TME‑05 薄膜厚度测量仪 的详细介绍
日本 JUSTEM TME‑05 薄膜厚度测量仪

日本 JUSTEM TME‑05 薄膜厚度测量仪


设备基础规格
‑被测工件:Si(硅)、SiC
‑工作尺寸:φ3、4、5、6 英寸
‑薄片厚度:100~1800μm
‑设备形式:床设置式
‑设置环境:1000 级洁净环境
‑装置尺寸:宽 800× 深 800× 高 1865 (mm)
‑装置重量:300 公斤
‑电源:单相 100V 50/60Hz
‑真空:附带真空泵
‑测量传感器:分光干涉传感器
‑测量精度:重复 10 次标准偏差 ±0.5μm 以内
‑测量点:多点测量配方

‑节拍时间:φ6 英寸十字 5 点测量 12 秒 / 枚


该设备为床置式全自动薄膜厚度检测装置,针对粘贴在玻璃板上的 SiC 晶圆开发,可分别获取晶圆本体厚度、粘合剂胶层厚度等多组数据,满足半导体背加工工序的检测需求。设备配置多孔石墨薄片承载台,能够对薄晶片实现均匀吸附固定,减少薄片翘曲带来的测量偏差。依靠分光干涉传感器完成非接触式检测,不会对晶片表面造成损伤,重复测量稳定性较好。测量结果可在配套电脑端直接展示,同时以 CSV 格式完成文件保存,支持厚度分布图形可视化输出,方便工作人员做数据对比、归档以及工艺分析。设备可选配摄像头模块,实现工件外观同步拍摄记录,丰富检测输出内容。整机需要放置在 1000 级洁净环境内使用,自带真空泵组件,支持多点测量配方调用,以 6 英寸晶片十字五点检测为例,单枚工件检测节拍仅 12 秒,兼顾检测点位数量与生产效率,适配产线批量检测需求。


适用于电子元件半导体行业,主要用于 Si、SiC 碳化硅晶圆背加工工序,完成贴板状态下晶片、粘合层厚度检测,适用于研发实验室、洁净车间在线抽检、批量来料检测等场景。


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