日本 JUSTEM TME‑07 硅片薄膜厚度测量仪

Name: 日本 JUSTEM TME‑07 硅片薄膜厚度测量仪
Brand: 其他品牌
Price: 1112 CNY
Availability: InStock

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产品名称: 日本 JUSTEM TME‑07 硅片薄膜厚度测量仪

产品型号:

产品特点: 日本 JUSTEM TME‑07 硅片薄膜厚度测量仪
JUSTEM TME‑07 硅片薄膜厚度测量仪，采用静电电容传感器实现非接触测厚，适配 4‑8 英寸硅晶圆，测厚区间 100‑1800μm，依靠配方切换适配不同尺寸晶圆，支持中心、十字多点自定义测量，整机适配 1000 级洁净环境。

日本 JUSTEM TME‑07 硅片薄膜厚度测量仪 的详细介绍

日本 JUSTEM TME‑07 硅片薄膜厚度测量仪

设备基础规格

‑被测工件：Si（硅）

‑工作尺寸：φ4、5、6、8 英寸

‑薄片厚度：100～1800μm

‑设备形式：床设置式

‑设置环境：1000 级洁净环境

‑装置尺寸：宽 1000× 深 900× 高 2000 (mm)

‑装置重量：350 公斤

‑电源：三相 200V 50/60Hz

‑真空：附带真空泵

‑测量传感器：电容传感器

‑测量精度：重复 10 次标准偏差 0.2μm 以下

‑测量点：中心 1 点、十字 5、9 点测量

‑节拍时间：φ6 英寸十字 5 点测量 30 秒 / 枚

该设备属于床置式晶圆厚度检测装置，面向硅晶圆边缘加工工序开发，依托静电电容传感器完成非接触式厚度采集，测量探头不接触晶片表面，规避划伤工件的风险，保障硅片成品良率。设备无需更换硬件模具，直接调用内部配方参数，即可完成不同尺寸硅片切换，缩减换型耗时，方便产线多规格工件流转。测量点位灵活可配置，可执行中心单点检测，也可设置十字 5 点、9 点模式，十字模式下点位数量与位置均可按需自定义，便于掌握晶圆整体厚度分布情况。设备重复测量稳定性优异，10 次重复检测标准偏差控制在 0.2μm 以内，数据可信度高。整机适配 1000 级洁净车间工况，配置真空泵完成晶片吸附固定，以 6 英寸硅片十字五点检测为例，单枚工件检测节拍 30 秒，兼顾多点位采集与生产效率，可对接半导体产线的质量管控需求。

适用于汽车半导体相关行业，用于硅晶圆边缘加工工序，完成 4‑8 英寸硅晶片厚度检测，广泛应用于半导体洁净工厂在线检测、研发实验室性能验证、来料品质抽检等场景。

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