台式半导体光学高输出臭氧表面清洗改质装置

台式半导体光学高输出臭氧表面清洗改质装置

台式半导体光学高输出臭氧表面清洗改质装置

1. 光源与光学
• 采用 200 W 高输出低压汞灯（主波 185 nm + 254 nm），搭配椭球冷镜反射器，把 185 nm 短波 UV 集中投射到样品表面，同步裂解 O₂ 生成高活性臭氧
• 灯管寿命 8 000 h，能量衰减 < 10 %；反射镜镀 MgF₂ 增透，185 nm 反射率 ≥ 85 %，保证高臭氧产率
• 样品面照度：185 nm 波段 28-30 mW/cm²（距离 10 mm），254 nm 波段 45 mW/cm²，200 mm 有效区不均匀性 ±3 %（闭环校准后）
2. 臭氧与反应腔
• 密闭石英反应腔，内置 O₃ 浓度传感器，实时显示 0-300 ppm；出厂设定 200 ppm，可通过气流阀微调
• 腔体材料全 PFA + 石英，无金属暴露，避免金属离子污染；腔盖带安全联锁，开门自动关灯/停臭氧
• 单批处理时间：一般光刻胶残胶 3 min，硅片表面 SAM 自组装膜 5 min，AFM 基片 2 min 即可获亲水表面（接触角 < 5°）
3. 温控与均匀性保证
• 样品台可水冷（10-25 ℃循环），防止 UV 热累积；台面具 5 点 UV 照度监测，闭环反馈到电源，实现灯功率实时补偿，保证 ±3 % 面内均匀
• 可选加热台（RT-150 ℃），用于 UV-臭氧 + 低温烘烤同步改质，缩短有机去除时间 30 %
4. 控制与数据
• 7 吋彩色触控屏，中文/英文/日文界面；20 组配方，可设 UV 功率、O₃ 浓度、处理时间、氮气吹扫时间
• USB-A ×2 + RS-485：实时输出照度、臭氧、温度曲线，支持 CSV 导出，对接 MES/实验室 LIMS
• 记录文件含 Recipe ID、操作员、开始/结束时间、平均照度、累计剂量，满足 ISO 9001 追溯要求
5. 硬件规格
• 主机：W 340 × D 450 × H 320 mm，25 kg，台式；前方抽屉式样品或 8″ 方片
• 电源：AC 100-240 V 50/60 Hz，500 W；排氧口 φ8 mm 快拧，可直接接入厂务中和塔或活性炭吸附器
• 寿命耗材：185 nm 灯管 8 000 h，O₃ 传感器 2 年，反射镜视污染程度 2-3 年擦拭/更换
6. 典型行业应用
• 半导体：晶圆贴片前 UV-臭氧去有机污染，提升金-金热压键合强度 15 %
• 光学：透镜镀膜前 3 min 清洗，镀层附着力拉拔力由 8 N 提到 12 N
• MEMS：AFM 探针基片 2 min 亲水化，接触角从 65° 降到 < 3°，保证后续光刻胶铺展均匀
• OLED：玻璃基板 ITO 表面 5 min 改质，阳极功函数提升 0.2 eV，驱动电压降低 0.3 V
7. 选型提示
• 若需双面同时处理，可选 UVS2003N-Dual，上下双灯对射，单片通过式节拍 30 s
• 若处理 300 mm 晶圆，可升级 UVS3005N，照度不均仍保持 ±3 %，臭氧 250 ppm

1. 光源与光学
• 采用 200 W 高输出低压汞灯（主波 185 nm + 254 nm），搭配椭球冷镜反射器，把 185 nm 短波 UV 集中投射到样品表面，同步裂解 O₂ 生成高活性臭氧
• 灯管寿命 8 000 h，能量衰减 < 10 %；反射镜镀 MgF₂ 增透，185 nm 反射率 ≥ 85 %，保证高臭氧产率
• 样品面照度：185 nm 波段 28-30 mW/cm²（距离 10 mm），254 nm 波段 45 mW/cm²，200 mm 有效区不均匀性 ±3 %（闭环校准后）
2. 臭氧与反应腔
• 密闭石英反应腔，内置 O₃ 浓度传感器，实时显示 0-300 ppm；出厂设定 200 ppm，可通过气流阀微调
• 腔体材料全 PFA + 石英，无金属暴露，避免金属离子污染；腔盖带安全联锁，开门自动关灯/停臭氧
• 单批处理时间：一般光刻胶残胶 3 min，硅片表面 SAM 自组装膜 5 min，AFM 基片 2 min 即可获亲水表面（接触角 < 5°）
3. 温控与均匀性保证
• 样品台可水冷（10-25 ℃循环），防止 UV 热累积；台面具 5 点 UV 照度监测，闭环反馈到电源，实现灯功率实时补偿，保证 ±3 % 面内均匀
• 可选加热台（RT-150 ℃），用于 UV-臭氧 + 低温烘烤同步改质，缩短有机去除时间 30 %
4. 控制与数据
• 7 吋彩色触控屏，中文/英文/日文界面；20 组配方，可设 UV 功率、O₃ 浓度、处理时间、氮气吹扫时间
• USB-A ×2 + RS-485：实时输出照度、臭氧、温度曲线，支持 CSV 导出，对接 MES/实验室 LIMS
• 记录文件含 Recipe ID、操作员、开始/结束时间、平均照度、累计剂量，满足 ISO 9001 追溯要求
5. 硬件规格
• 主机：W 340 × D 450 × H 320 mm，25 kg，台式；前方抽屉式样品炭吸附器
• 寿命耗材：185 nm 灯管 8 000 h，O₃ 传感器 2 年，反射镜视污染程度 2-3 年擦拭/更换
6. 典型行业应用
• 半导体：晶圆贴片前 UV-臭氧去有机污染，提升金-金热压键合强度 15 %
• 光学：透镜镀膜前 3 min 清洗，镀层附着力拉拔力由 8 N 提到 12 N
• MEMS：AFM 探针基片 2 min 亲水化，接触角从 65° 降到 < 3°，保证后续光刻胶铺展均匀
• OLED：玻璃基板 ITO 表面 5 min 改质，阳极功函数提升 0.2 eV，驱动电压降低 0.3 V
7. 选型提示
• 若需双面同时处理，可选 UVS2003N-Dual，上下双灯对射，单片通过式节拍 30 s
• 若处理 300 mm 晶圆，可升级 UVS3005N，照度不均仍保持 ±3 %，臭氧 250 ppm