装置采用真空排气对应型密封罩,可在 10Pa 以下真空环境中对 4~8 英寸晶圆及不定形芯片进行 FTIR 测量,解析晶圆内的成分分布并进行各成分的定量分析。除 FTIR 基本功能外,通过真空下的晶圆内部映射,可在短时间内完成去除背景干扰的高精度测量,确保分析结果的准确性。晶圆映射部门支持多种样本尺寸,适配主流半导体晶圆规格;软件配备自动映射功能,支持手动坐标设置、R-θ 设置、X-Y(方形)设置,可灵活配置映射路径,搭配标准解析软件实现数据的自动化处理与分析。
真空环境测量:10Pa 以下真空度,消除水蒸气、二氧化碳等背景干扰,提升分析精度。
晶圆成分分布解析:通过 FTIR 映射技术,实现晶圆内成分分布的可视化与定量分析。
多尺寸样本适配:支持 4~8 英寸晶圆及不定形芯片,覆盖主流半导体制造规格。
灵活映射控制:支持多种坐标设置方式,可定制映射路径,适配不同分析需求。
自动化数据处理:自动映射软件 + 标准解析软件,简化操作流程,提升分析效率。
半导体晶圆上沉积材料的成分分布与定量分析
薄膜材料在晶圆表面的均匀性检测与表征
半导体制造工艺中的材料成分质量控制
不定形芯片及特殊结构样品的红外光谱分析
| 项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 分析方式 | 真空环境下 FTIR 测量 + 晶圆映射分析 |
| 样本尺寸 | 4~8 英寸晶圆及不定形芯片 |
| 真空度 | 10Pa 以下 |
| 硬件配置 | 真空排气对应型密封罩 |
| 软件功能 | 自动映射软件,支持多种坐标设置与解析 |
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