日本 NGK 半导体陶瓷加热器

日本 NGK 半导体陶瓷加热器

日本 NGK 半导体陶瓷加热器

设备基础规格

• 适配晶圆尺寸：200mm、300mm、450mm

• 工作温度上限：约 800℃

• 电源规格：100‑200V，15‑50A

• 基材材质：AIN 氮化铝陶瓷

• 电极连接方式：Ni 棒端子，钎焊、螺栓连接可选

• 附加功能：可集成 RF 电极，实现晶圆静电吸附

• 耐受环境：卤素气体、氧化气氛

  
  

本款 NGK 半导体陶瓷加热器以高导热 AIN 氮化铝陶瓷为基材，拥有温度均热性能，600℃工况下晶圆温度偏差可控制在 ±0.1% 以内，保障整片晶圆受热一致。产品采用一体化烧结工艺，发热体、块状 RF 电极可直接烧结在陶瓷内部，陶瓷轴与陶瓷盘面键合为一体，整体结构紧凑，便于设备内部集成。陶瓷本体具备优秀耐腐蚀能力，在卤素气体、氧化气氛环境下长期使用依旧保持稳定耐久。内部集成的 RF 电极除加热之外，还可直接充当静电吸盘电极，实现晶圆加热与静电吸附二合一，减少零部件数量。氮化铝拥有多种材料等级，可根据导热、电阻率、强度需求选型定制，满足不同半导体设备的工况要求。产品针对半导体真空工艺环境开发，低析出、低颗粒，能够有效降低晶圆被污染风险，适配严苛的半导体制程，可按照客户晶圆尺寸、供电条件、温度指标做非标定制开发。

适用场景应用于半导体刻蚀、薄膜沉积等工艺设备，作为晶圆加热基座使用，可同时完成晶圆加热与静电吸附，面向半导体设备厂商、晶圆制造工厂，适配研发样机以及量产设备。

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