产品资料
半导体制造测量用高真空工艺监测真空计
产品名称: 半导体制造测量用高真空工艺监测真空计
产品型号: M-336MX
产品特点: 半导体制造测量用高真空工艺监测真空计半导体制造装置测量用 · 晶体离子 · 高真空 · 超高真空5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa · 晶振 + 离子 · 0.1 s 响应 · 重量 0.9 kg
半导体制造测量用高真空工艺监测真空计 的详细介绍
半导体制造测量用高真空工艺监测真空计
半导体制造测量用高真空工艺监测真空计
半导体制造装置测量用 · 晶体离子 · 高真空 · 超高真空
5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa · 晶振 + 离子 · 0.1 s 响应 · 重量 0.9 kg
一、产品定位
- 半导体制造装置测量用：MOCVD、干刻、离子注入、ALD、PVD
- 晶体离子真空计：晶振 + 离子复合，5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa
- 高真空/超高真空：10⁻¹¹ Pa 级，适合超高真空工艺监测
- M-336MX：晶振 + 离子复合，0.1 s 响应，重量 0.9 kg
二、核心技术参数（M-336MX）
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 原理 | 晶体离子复合（晶振 + 离子） |
| 测量范围 | 5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa（5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Torr） |
| 精度 | ±10 %（5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa） |
| 响应时间 | 0.1 s（晶振） / 1 s（离子） |
| 输出信号 | 0-10 V + RS-485 + 4-20 mA（实时） |
| 真空接口 | NW16（可转 NW25/NW40） |
| 接触材料 | 316L + 蓝宝石（晶振） |
| 温度范围 | -10 – 80 ℃（无凝露） |
| 电源 | DC 24 V 1 A（含 100-240 V 适配器） |
| 尺寸/重量 | Φ25×80 mm，0.9 kg |
| 寿命 | 10 年（连续运行） |
三、功能亮点
- 5×10⁻¹¹ Pa 超高真空：晶振 + 离子复合，10⁻¹¹ Pa 级监测
- 0.1 s 高速响应：晶振 0.1 s，适合快速真空变化
- 0.9 kg 超轻：可直接贴腔体，不增加机械负载
- ±10 % 高精度：±10 %（5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa），工艺重复性高
- 0-10 V + RS-485：实时真空度，可接 PLC / DCS
- 10 年寿命：晶振 + 离子复合，10 年免维护
四、典型应用系统
半导体超高真空工艺┌─ 超高真空腔体 ─┐│ │真空← M-336MX ← 真空馈通 NW16│ │└─ PLC/DCS ──────┘- 真空度 5×10⁻¹¹ Pa，0.1 s 响应，工艺实时监测
- RS-485 实时输出，PLC 闭环控制
五、实测数据（半导体验证）
- 真空腔：1×10⁻¹¹ Pa，25 ℃
- M-336MX：
- 真空度 5×10⁻¹¹ Pa（0.1 s）
- 精度 ±10 %（5×10⁻¹¹ Pa）
- 寿命 10 年（连续运行）
半导体制造装置测量用 · 晶体离子 · 高真空 · 超高真空
5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa · 晶振 + 离子 · 0.1 s 响应 · 重量 0.9 kg
一、产品定位
- 半导体制造装置测量用：MOCVD、干刻、离子注入、ALD、PVD
- 晶体离子真空计：晶振 + 离子复合，5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa
- 高真空/超高真空：10⁻¹¹ Pa 级，适合超高真空工艺监测
- M-336MX：晶振 + 离子复合，0.1 s 响应，重量 0.9 kg
二、核心技术参数（M-336MX）
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 原理 | 晶体离子复合（晶振 + 离子） |
| 测量范围 | 5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa（5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Torr） |
| 精度 | ±10 %（5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa） |
| 响应时间 | 0.1 s（晶振） / 1 s（离子） |
| 输出信号 | 0-10 V + RS-485 + 4-20 mA（实时） |
| 真空接口 | NW16（可转 NW25/NW40） |
| 接触材料 | 316L + 蓝宝石（晶振） |
| 温度范围 | -10 – 80 ℃（无凝露） |
| 电源 | DC 24 V 1 A（含 100-240 V 适配器） |
| 尺寸/重量 | Φ25×80 mm，0.9 kg |
| 寿命 | 10 年（连续运行） |
三、功能亮点
- 5×10⁻¹¹ Pa 超高真空：晶振 + 离子复合，10⁻¹¹ Pa 级监测
- 0.1 s 高速响应：晶振 0.1 s，适合快速真空变化
- 0.9 kg 超轻：可直接贴腔体，不增加机械负载
- ±10 % 高精度：±10 %（5×10⁻¹¹ – 1×10⁻² Pa），工艺重复性高
- 0-10 V + RS-485：实时真空度，可接 PLC / DCS
- 10 年寿命：晶振 + 离子复合，10 年免维护
四、典型应用系统
半导体超高真空工艺┌─ 超高真空腔体 ─┐│ │真空← M-336MX ← 真空馈通 NW16│ │└─ PLC/DCS ──────┘- 真空度 5×10⁻¹¹ Pa，0.1 s 响应，工艺实时监测
- RS-485 实时输出，PLC 闭环控制
五、实测数据（半导体验证）
- 真空腔：1×10⁻¹¹ Pa，25 ℃
- M-336MX：
- 真空度 5×10⁻¹¹ Pa（0.1 s）
- 精度 ±10 %（5×10⁻¹¹ Pa）
- 寿命 10 年（连续运行）
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