半导体膜厚测定用深紫外连续波激光器

半导体膜厚测定用深紫外连续波激光器

半导体膜厚测定用深紫外连续波激光器

一、产品定位

• 半导体检测工业用：膜厚测定、缺陷扫描、UV-Vis 光谱、反射率
• 连续波 213 nm：深紫外 DUV，连续波，5-500 mW，±0.1 % 稳定性
• 工业级：真空 ≤1×10⁻⁴ Pa，0-180 ℃，工业级漂移
• Opt-Oxide CW 213nm：CW 连续波，213 nm，5-500 mW，即插即用

二、核心技术参数（CW 213nm）

三、功能亮点

1. 213 nm 深紫外：DUV 连续波，适合 < 5 nm 超薄膜测定
2. ±0.1 % 超高稳定性：1 h 漂移 < 0.1 %，膜厚重复性 < 0.01 nm
3. 5-500 mW 连续可调：5-500 mW 连续可调，适合不同工艺段
4. ≤ 1×10⁻⁴ Pa 真空兼容：真空腔直接安装，无泄漏
5. 0.28 kg 超轻：A5 底面积，可手提移动，实验室即用
6. 5 年寿命：连续波无磨损，5 年免维护

四、典型应用系统

半导体膜厚测定┌─ 真空腔体 ─┐│               │激光← CW-213 ← 真空馈通 FC│               │└─ 光谱仪 ────┘

• 真空度 ≤ 1×10⁻⁴ Pa，213 nm 连续照射
• 光谱仪采集反射光谱，膜厚精度 ≤ 0.01 nm

五、实测数据（半导体验证）

• 真空：1×10⁻⁴ Pa，25 ℃
• CW-213nm：
• 功率 100 mW（±0.1 %）
• 稳定性 ±0.1 %（1 h）
• 寿命 5 年（连续运行）

六、选型与配件

一、产品定位

• 半导体检测工业用：膜厚测定、缺陷扫描、UV-Vis 光谱、反射率
• 连续波 213 nm：深紫外 DUV，连续波，5-500 mW，±0.1 % 稳定性
• 工业级：真空 ≤1×10⁻⁴ Pa，0-180 ℃，工业级漂移
• Opt-Oxide CW 213nm：CW 连续波，213 nm，5-500 mW，即插即用

二、核心技术参数（CW 213nm）

三、功能亮点

1. 213 nm 深紫外：DUV 连续波，适合 < 5 nm 超薄膜测定
2. ±0.1 % 超高稳定性：1 h 漂移 < 0.1 %，膜厚重复性 < 0.01 nm
3. 5-500 mW 连续可调：5-500 mW 连续可调，适合不同工艺段
4. ≤ 1×10⁻⁴ Pa 真空兼容：真空腔直接安装，无泄漏
5. 0.28 kg 超轻：A5 底面积，可手提移动，实验室即用
6. 5 年寿命：连续波无磨损，5 年免维护

四、典型应用系统

半导体膜厚测定┌─ 真空腔体 ─┐│               │激光← CW-213 ← 真空馈通 FC│               │└─ 光谱仪 ────┘

• 真空度 ≤ 1×10⁻⁴ Pa，213 nm 连续照射
• 光谱仪采集反射光谱，膜厚精度 ≤ 0.01 nm

五、实测数据（半导体验证）

• 真空：1×10⁻⁴ Pa，25 ℃
• CW-213nm：
• 功率 100 mW（±0.1 %）
• 稳定性 ±0.1 %（1 h）
• 寿命 5 年（连续运行）

六、选型与配件