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日本 C&A O-01 μ-PD 结晶育成装置

产品名称: 日本 C&A O-01 μ-PD 结晶育成装置
产品型号:
产品特点: 日本 C&A O-01 μ-PD 结晶育成装置
O-01 是感应加热型微下拉(μ-PD)单晶生长炉,最高温度可达 2500℃,支持多种气氛环境。配备石英腔体或金属腔体,搭载 CCD 观测系统,温度梯度调节范围宽广,适用于高熔点材料单晶制备,支持触摸屏与电脑双模式操控。

日本 C&A O-01 μ-PD 结晶育成装置 的详细介绍
日本 C&A O-01 μ-PD 结晶育成装置
日本 C&A O-01 μ-PD 结晶育成装置

设备基础规格

  1. 射频电源:20kW

  2. 最高温度:约 2500℃(受坩埚材质限制)

  3. 下拉速度:0.01~200 mm/min

  4. 适用气氛:Ar、N₂、O₂、空气、H₂

  5. 腔体结构:可选石英管腔体或金属腔体

  6. 操作方式:触摸屏面板 / PC 上位机控制

  7. 观测配置:CCD 相机实时观测固液界面

  8. 温度梯度可调范围:50℃/cm ~ 300℃/cm

核心产品特性

O-01 μ-PD 结晶育成装置采用感应加热方案,专为微下拉法单晶生长研发,能够实现高熔点材料单晶培育。设备腔体支持两种结构可选,CCD 摄像系统可直观观测熔体固液界面,便于工艺调试。温度与下拉速度高精度可控,温度梯度可大范围灵活调整,适配不同晶体生长工艺需求。支持多种保护与反应气氛,工艺兼容性强;控制系统兼具本地触摸屏操作与电脑远程操控模式,便于科研人员记录、优化生长参数,广泛用于蓝宝石、激光晶体、氧化物单晶等新材料研发与小批量试样制备。

适用生产场景

高校与科研院所单晶材料实验室;蓝宝石、氧化物、氟化物单晶试样研发;激光晶体、光学晶体小尺寸单晶制备;新型功能晶体生长工艺开发;高熔点无机单晶材料基础研究。


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