日本 C&A C-01 提拉法结晶育成装置

Name: 日本 C&A C-01 提拉法结晶育成装置
Brand: 其他品牌
Price: 1119 CNY
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产品名称: 日本 C&A C-01 提拉法结晶育成装置

产品型号:

产品特点: 日本 C&A C-01 提拉法结晶育成装置
C-01 为感应加热型提拉法单晶生长设备，配备石英腔体与不锈钢双开门结构，搭载 CCD 监测熔体液面。可移动上法兰与加热线圈优化操作便利性，生长过程能够实时调控温度梯度，支持电脑控制与互联网远程操作，适合各类氧化物单晶研发制备。

日本 C&A C-01 提拉法结晶育成装置 的详细介绍

日本 C&A C-01 提拉法结晶育成装置

设备基础规格

射频电源：40kW
最高温度：2100℃（受坩埚材质限制）
提拉速度：0.1~10 mm/hr、2~300 mm/min
振荡频率：5~9.9 kHz
供电条件：三相 200V±10%，50/60Hz
腔体结构：石英腔体、不锈钢双开门
监测配置：CCD 相机观测熔体液面
操控方式：电脑本地控制，支持互联网远程控制

核心产品特性

C-01 提拉法结晶育成装置基于感应加热工艺，采用经典 Czochralski 单晶生长原理。设备搭载可移动式上法兰结构，投料、更换坩埚等操作更加便捷；加热线圈支持位移调节，晶体生长全程动态调整温度梯度。配备 CCD 视觉系统，可持续观察熔体表面状态，便于工艺实时调整。整套系统由计算机进行生长流程控制，同时支持网络远程监控操作，自动化程度高。腔体采用石英透明腔室，可视性优良，适配激光晶体、氧化物单晶、氟化物单晶等多种功能晶体研发与小批量试制。

适用生产场景

高校、科研院所单晶材料实验室；激光晶体、光学氧化物单晶试样研发；闪烁晶体、压电晶体提拉工艺开发；新型功能单晶材料基础科研；中小尺寸高质量单晶试样制备。

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日本 C&A C-01 提拉法结晶育成装置

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