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日本 JFE FDC-H1510 膜厚分布测定装置

产品名称: 日本 JFE FDC-H1510 膜厚分布测定装置
产品型号:
产品特点: 日本 JFE FDC-H1510 膜厚分布测定装置
FDC-H1510 属于 H 系列高分辨率膜厚分布测定装置,支持 6 英寸晶圆全表面扫描测量,兼顾全域大面积测绘与局部微区高精度检测,空间分辨率可达 5μm。设备采用紧凑型桌面式结构,可直观获取图案区域薄膜厚度二维分布数据,广泛用于半导体工艺薄膜品质评估。

日本 JFE FDC-H1510 膜厚分布测定装置 的详细介绍
日本 JFE FDC-H1510 膜厚分布测定装置
日本 JFE FDC-H1510 膜厚分布测定装置
设备基础规格
  1. 膜厚测量范围:100nm~10μm

  2. 可测样品尺寸:最大适配 6 英寸晶圆(约 150mm)

  3. 测量区域:局部测量约 3mm 方形;全面测定最大 150mm

  4. 空间分辨率:约 5μm

  5. 测定总点数:约 20 万点

  6. 检测耗时:局部测定约 30 秒;晶圆全幅测定约 10 分钟

  7. 整机结构:紧凑型桌面式箱体,便于实验室摆放部署

  8. 输出功能:膜厚二维分布成像、厚度数据采集与图谱输出

核心产品特性
FDC-H1510 高分辨率膜厚分布测定装置专为半导体晶圆薄膜检测开发,具备全域扫描与局部精细测量双模式,一台设备即可满足工艺研发多场景测试需求。设备最高支持 6 英寸硅片完整表面测绘,同时可针对芯片图案区域开展微区高精度扫描,5μm 空间分辨率能够清晰呈现微小单元内部膜厚波动,直观输出二维厚度分布云图。整机采用紧凑型桌面化设计,无需占用大型无尘车间空间,灵活适配研发实验室、工艺分析工位。单次测量可采集约 20 万个测点,数据密度充足,精准捕捉薄膜均匀性缺陷。局部快速检测模式大幅缩短筛选时间,全幅扫描模式适合完整晶圆品质摸底,可稳定测量各类半导体工艺薄膜,为镀膜、刻蚀等工序工艺优化提供可靠数据支撑。系统配套分析软件可实现图谱可视化、数据导出与对比分析,帮助工程师快速评估薄膜均匀性,助力半导体器件良率提升。
适用生产场景
6 英寸半导体晶圆薄膜厚度分布检测;芯片图案区域微区膜厚测绘;镀膜工艺均匀性评估;半导体新材料研发薄膜表征;晶圆工艺实验室薄膜品质分析。


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