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美国 HINDS 深紫外双折射测量系统光学

产品名称: 美国 HINDS 深紫外双折射测量系统光学
产品型号: Exicor® DUV
产品特点: 美国 HINDS 深紫外双折射测量系统光学是美国亨德斯仪器推出的光学检测设备,专为半导体光刻工艺设计,可精准测量深紫外(DUV)波段(157nm、193nm、248nm)光学材料的本征双折射,是评估氟化钙(CaF₂)透镜、光刻掩模等光学元件的核心设备,曾荣获 2003 年 “R&D 100" 奖。
系统采用 PEMLabs™弹性调制器与 Signaloc™锁相放大器

美国 HINDS 深紫外双折射测量系统光学 的详细介绍

美国 HINDS 深紫外双折射测量系统光学

美国 HINDS 深紫外双折射测量系统光学

是美国亨德斯仪器推出的光学检测设备,专为半导体光刻、光学材料制造领域设计,为深紫外波段光学元件的双折射检测提供高精度、高稳定性的专业解决方案。

系统核心用于测量深紫外波长范围的光学双折射,其中 Exicor DUV 系统专为 157nm 应用开发,用于评估氟化钙(CaF₂)透镜材料的本征双折射;Exicor 193 DUV 系统则聚焦 193nm 光刻系统,适配浸没式 193nm 光刻等工艺,可检测各类光刻用光学材料与元件。两款系统均严格遵循 “在使用波长下测量" 的行业原则,满足精密光学材料制造商的严苛要求,推动光刻技术的边界拓展。


设备搭载重型自动化 XY 工作台,支持最大 400mm×400mm、厚度超 200mm 的大尺寸光学元件检测,大型扫描台可同时装载多个小型部件,通过可选的 Exicor Macro + 软件实现全自动无人值守扫描,可连续运行多个班次,大幅提升检测效率。系统采用 PEMLabs™弹性调制器与 Signaloc™锁相放大器技术,延迟分辨率达 0.01nm,重复性 ±0.08nm,角分辨率 0.01°,重复性 ±0.5°,实现超高精度测量。


针对 157nm 测量需求,系统配备独特的局部氮气置换系统,避免氧气对 157nm 紫外线的吸收,同时防止样品腔产生臭氧;193nm 与 248nm 测量无需氮气置换,适配不同工艺需求。设备支持双轴晶格的 2D/3D 图形可视化,内置高级数据分析功能,直观呈现光学元件的双折射分布,同时支持应力估算计算、高速动态扫描、定制样品夹具与定制软件等可选功能,满足不同客户的个性化检测需求。


作为光刻行业光学检测的核心设备,Exicor® DUV/193 DUV 系统广泛应用于半导体光刻工艺、光学材料制造、CaF₂透镜检测、光掩模检测、光学元件应力分析等领域,是光学元件研发与生产的检测工具。




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