产品资料
桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置
产品名称: 桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置
产品型号: VE-2040
产品特点: 桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置半导体相关试样制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圆级 · 桌面型高真空 10⁻⁷ Pa · 晶圆 8“ · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圆级均匀性 ±1 %半导体试样 · 薄膜蒸镀 · 电极制作 · 高真空退火
桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置 的详细介绍
桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置
桌面型高真空多源晶圆级半导体蒸镀装置
半导体相关试样制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圆级 · 桌面型
高真空 10⁻⁷ Pa · 晶圆 8" · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圆级均匀性 ±1 %
半导体试样 · 薄膜蒸镀 · 电极制作 · 高真空退火
一、产品定位
- 半导体试样制作：薄膜蒸镀、电极制作、高真空退火、晶圆级均匀性
- 高真空多源：10⁻⁷ Pa，4 源同时蒸镀，晶圆级均匀性 ±1 %
- 桌面型：底面积 0.8 m²，放通风橱，无需地基
- VE-2040：晶圆 8"，高真空 10⁻⁷ Pa，多源 4 源，桌面型
二、核心技术参数（VE-2040）
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 真空室 | Φ400×H400 mm（晶圆 8"） |
| 高真空 | ≤ 1×10⁻⁷ Pa（10⁻⁹ Torr） |
| 泵系统 | 涡轮分子泵 + 干式前级（无油） |
| 晶圆尺寸 | 8"（200 mm）（可选 6"、4"） |
| 多源 | 4 源同时蒸镀（电阻/电子束） |
| 均匀性 | ±1 %（晶圆级，Mapping 验证） |
| 蒸镀速率 | 0.01 – 10 nm/s（闭环控制） |
| 温度 | 室温 – 800 ℃（程序升温） |
| 控制 | 10" 触控 + PLC + 云端远程 |
| 尺寸/重量 | 800×600×1800 mm，280 kg |
| 电源 | 单相 200 V 30 A（含真空泵） |
三、功能亮点
- 10⁻⁷ Pa 高真空：涡轮 + 干泵，无油污染，Class 100 兼容
- 8" 晶圆级：晶圆 8"，均匀性 ±1 %，Mapping 验证
- 4 源同时蒸镀：Al/Au/Ti/Ni 同时蒸镀，多层膜一次完成
- ±1 % 均匀性：晶圆级 Mapping，均匀性 ±1 %，膜厚 ≤ 5 nm
- 桌面型 0.8 m²：放通风橱，无需地基，实验室即用
- 云端远程：手机 APP 远程监控，真空度、温度实时查看
四、典型应用工艺
半导体试样高真空蒸镀┌─ 高真空腔体 ─┐│ │晶圆← VE-2040 ← 4 源同时蒸镀│ │└─ 回大气 ──────┘- 晶圆 8"，Al/Au/Ti/Ni 同时蒸镀，膜厚 5 nm，均匀性 ±1 %
- 高真空 10⁻⁷ Pa，无油污染，Class 100 兼容
五、实测数据（半导体验证）
- 晶圆：8" SiO₂ 5 nm
- VE-2040 高真空版：
- 真空度 1×10⁻⁷ Pa（24 h）
- 均匀性 ±0.8 %（Mapping 49 点）
- 膜厚 5 nm，重复性 ±0.1 nm（10 次）
半导体相关试样制作用 · 高真空 · 多源 · 晶圆级 · 桌面型
高真空 10⁻⁷ Pa · 晶圆 8" · 多源 4 源 · 桌面型 · 晶圆级均匀性 ±1 %
半导体试样 · 薄膜蒸镀 · 电极制作 · 高真空退火
一、产品定位
- 半导体试样制作：薄膜蒸镀、电极制作、高真空退火、晶圆级均匀性
- 高真空多源：10⁻⁷ Pa，4 源同时蒸镀，晶圆级均匀性 ±1 %
- 桌面型：底面积 0.8 m²，放通风橱，无需地基
- VE-2040：晶圆 8"，高真空 10⁻⁷ Pa，多源 4 源，桌面型
二、核心技术参数（VE-2040）
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 真空室 | Φ400×H400 mm（晶圆 8"） |
| 高真空 | ≤ 1×10⁻⁷ Pa（10⁻⁹ Torr） |
| 泵系统 | 涡轮分子泵 + 干式前级（无油） |
| 晶圆尺寸 | 8"（200 mm）（可选 6"、4"） |
| 多源 | 4 源同时蒸镀（电阻/电子束） |
| 均匀性 | ±1 %（晶圆级，Mapping 验证） |
| 蒸镀速率 | 0.01 – 10 nm/s（闭环控制） |
| 温度 | 室温 – 800 ℃（程序升温） |
| 控制 | 10" 触控 + PLC + 云端远程 |
| 尺寸/重量 | 800×600×1800 mm，280 kg |
| 电源 | 单相 200 V 30 A（含真空泵） |
三、功能亮点
- 10⁻⁷ Pa 高真空：涡轮 + 干泵，无油污染，Class 100 兼容
- 8" 晶圆级：晶圆 8"，均匀性 ±1 %，Mapping 验证
- 4 源同时蒸镀：Al/Au/Ti/Ni 同时蒸镀，多层膜一次完成
- ±1 % 均匀性：晶圆级 Mapping，均匀性 ±1 %，膜厚 ≤ 5 nm
- 桌面型 0.8 m²：放通风橱，无需地基，实验室即用
- 云端远程：手机 APP 远程监控，真空度、温度实时查看
四、典型应用工艺
半导体试样高真空蒸镀┌─ 高真空腔体 ─┐│ │晶圆← VE-2040 ← 4 源同时蒸镀│ │└─ 回大气 ──────┘- 晶圆 8"，Al/Au/Ti/Ni 同时蒸镀，膜厚 5 nm，均匀性 ±1 %
- 高真空 10⁻⁷ Pa，无油污染，Class 100 兼容
五、实测数据（半导体验证）
- 晶圆：8" SiO₂ 5 nm
- VE-2040 高真空版：
- 真空度 1×10⁻⁷ Pa（24 h）
- 均匀性 ±0.8 %（Mapping 49 点）
- 膜厚 5 nm，重复性 ±0.1 nm（10 次）
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