半导体晶圆膜厚检测！JFE FiDiCa D 系列广范围膜厚分布测量装置

核心型号与参数

产品核心优势

1. 宽量程覆盖

   单台设备即可覆盖从 50nm 薄膜到 100μm 厚膜的测量需求，适配 SiO₂、光刻胶、金属膜、钝化层等多种半导体膜层，无需更换设备即可完成多工艺环节的检测。

2. 高精度与高分辨率

   重复再现性达 3σ<1.0nm（1μm SiO₂膜），空间分辨率最高支持 5μm 级，可捕捉晶圆表面微小膜厚偏差，同时支持 50μm 局部高分辨率扫描，满足关键区域工艺验证需求。

3. 高效全域扫描

   支持 4~12 英寸晶圆（可选规格），单晶圆约 400 万点全域扫描可在 10 分钟内完成，兼顾效率与数据密度，可快速生成膜厚分布热力图，直观呈现晶圆整体均匀性。

4. 灵活配置与自动化扩展

   可选配 CtoC 传送机构，实现晶圆自动化上下料，适配产线在线检测场景；同时支持手动与自动双模式，兼顾实验室研发与量产质量管控需求。

典型应用场景

• 半导体晶圆制造：SiO₂、SiN、光刻胶、金属层等膜厚均匀性检测；

• 先进封装工艺：TSV、RDL 等结构的膜层厚度分布测量；

• 光学涂层与镀膜：光学元件薄膜厚度均匀性验证；

• 材料研发与工艺优化：宽范围膜层工艺的参数调试与质量评估。