日本大明化学 高纯氧化铝简介

日本大明化学（TAIMEI CHEMICALS）高纯氧化铝（TAIMICRON 系列）

一、产品概述

大明化学高纯氧化铝以4N 级（≥99.99%）高纯度、超微细均匀粒径与低温高致密烧结为核心优势，采用碱性碳酸铝铵（AACH）热分解法生产，金属杂质（Na/Fe/Si 等）＜1ppm、放射性元素（U/Th）＜5ppb，是透明陶瓷、半导体、医疗植入、精密研磨等领域的常用原料。

二、核心技术原理

• 合成工艺：高纯铝盐与碳酸铵反应生成AACH 前驱体，经低温煅烧转化为 α-Al₂O₃，全程严控杂质引入。

• 粉体特性：一次粒子0.1–0.2μm、团聚少、粒径分布窄；1250–1300℃即可致密化（≥98% 理论密度），比普通氧化铝低 200℃+。

• 研磨球工艺：高纯粉经等静压成型 + 低温烧结，晶体致密、耐磨、耐酸碱，杂质释放极低。

三、核心型号与参数

1. 高纯氧化铝粉体（TAIMICRON 系列）

• TM-DAR：99.995% 纯度，0.2μm，适用于透明陶瓷 / LED 基板，HIP 烧结透光率 **＞85%@600nm**。

• TM-UF：纳米级（~0.1μm），超低温烧结，适合超薄陶瓷 / 光学元件。

• TM-5D/TM-10D：0.2–0.5μm，通用高致密陶瓷，强度 / 耐磨性良好。

2. 高纯氧化铝研磨球（TB 系列）

• TB01：φ0.1mm，适用于电子浆料 / MLCC 纳米分散，降低短路风险。

• TB03：φ0.3mm，适用于锂电池正极材料分散，提升循环寿命。

• TB05：φ0.5mm，适用于陶瓷 / 涂料中细研磨，高效低耗。

关键指标

• 纯度：≥99.99%（4N），部分型号99.995%（5N）。

• 杂质：Na/Fe/Si/K/Mg/Ca ＜1ppm，U＜4ppb、Th＜5ppb。

• 烧结密度：≥3.95g/cm³（理论值 98%+）。

• 粒径：粉体 0.1–0.5μm；球径 0.1–0.5mm（支持定制）。

四、核心优势

1. 高纯度控制：4N–5N 级纯度，杂质与放射性极低，适配半导体 / 医疗 / 光学等高洁净场景。

2. 低温高效烧结：1250℃即可致密化，节能 30%+，晶粒细小均匀，提升力学与光学性能。

3. 粒径精准可控：纳米至微米级连续可调，分布窄、团聚少，成型与烧结稳定性强。

4. 低污染耐磨：研磨球硬度高、磨损率低，分散 / 研磨时不引入金属杂质，保障产品良率。

5. 日本原装品质：工厂全流程校准，批次一致性好，可追溯国际标准。

五、典型应用

• 透明陶瓷：TM-DAR/TM-UF 用于 LED 蓝宝石基板、光学窗口、YAG 晶体、高压钠灯灯管。

• 半导体 / 电子：IC 基板、半导体治具、MLCC 介质粉、电子浆料分散（TB01）。

• 医疗 / 生物：人工关节、牙科植入物、生物陶瓷（高纯低辐射）。

• 新能源：锂电池正极材料分散（TB03）、固态电解质、陶瓷隔膜涂层。

• 精密研磨 / 分散：油墨、涂料、颜料、陶瓷釉料超细研磨（TB 系列）。

• 结构陶瓷：高强度耐磨零件、轴承、喷嘴、刀具。