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爱尔兰Impedans射频朗缪尔探针结构特性与等离子体实验应用
等离子体物理研究、半导体工艺制备、薄膜沉积技术研发等前沿领域，需要依托精准的等离子体参数支撑实验迭代与工艺优化。电子温度、电子密度、悬浮电位等核心参数，能够直观反映等离子体的运行状态与反应特性，是调整实验工况、优化制备工艺、研判实验效果的关键依据。传统检测设备存在参数采集维度单一、检测精度不足、真空工况适配性差等问题，难以满足常规科研实验的精细化检测需求。
Impedans朗缪尔探针采用行业通用圆柱形射频单探针结构，搭配标准适配长度，可灵活适配各类真空等离子体反应腔体的内部检测环境。设备搭载自动、手动双驱动切换模式，科研人员可根据实验方案、腔体工况灵活调整作业方式，场景适配性良好。依托高精度射频检测架构，设备可完整采集等离子体全域核心参数，精准捕捉工况运行过程中的细微参数波动，弥补传统检测设备的性能短板。设备针对真空、射频复杂工况做了专项优化，抗干扰性能优异，采集的数据可精准溯源，契合前沿科研的数据规范要求。广泛应用于等离子体物理基础研究、薄膜制备工艺调试、半导体精密工艺优化等领域，为常规科研实验开展提供专业、稳定的检测保障。
简介：Impedans ALP 射频补偿朗缪尔探针，商业化射频等离子体诊断设备，搭载多级射频补偿滤波，改善射频工况下测量失真问题。采集 I‑V 特性曲线，计算电子温度、等离子体密度、悬浮电位、电子能量分布函数。适配直流、脉冲直流、射频、脉冲射频、微波等离子体源，用于半导体刻蚀、薄膜沉积、材料改性的实验室与工艺研发。
规格：电压扫描范围：‑150V ~ +150V采样速率：最高 80MS/s时间分辨率：12.5ns，脉冲同步 TTL 外部触发 1Hz‑1MHz射频补偿：最多 5 级射频滤波，适配 400kHz、2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz 主流射频频率探针探头：单探针、双探针、平面探针、马赫探针可互换；探头材质钨、钽、铂、镍可选探针杆长度：150‑1400mm 可定制可选线性驱动：150/300/450/600/900mm 行程，完成等离子体空间轮廓扫描软件环境：Windows 系统，支持 API 远程控制，自动 I‑V 曲线解析，具备探针等离子体自动清洗通信方式：USB2.0供电：AC100‑240V 宽电压
PLATO 版本：探针表面允许累积最高 10μm 绝缘沉积层仍可正常测量，适配 PECVD 沉积工况
特性：1、多级射频补偿滤波结构，抑制射频干扰，在 13.56MHz、40MHz 射频耦合等离子体环境保证测量精度，解决普通朗缪尔探针射频环境数据漂移问题。2、探头可快速更换，单、双、平面、马赫多种探头，一套系统适配多种实验条件，降低设备投入。3、支持时间平均、趋势记录、脉冲同步轮廓、高速单次扫描模式，适配脉冲 DC、HiPIMS、脉冲射频瞬态等离子体研究。4、具备探针等离子体自清洗功能，去除氧化层与沉积物，减少拆解维护频次。5、可选配线性位移机构，自动完成腔室内等离子体空间扫描，获取腔室等离子体均匀性数据。6、配套专业分析软件，自动解析 I‑V 曲线输出等离子体参数；开放 API 接口，可对接自研测试平台，实现自动化批量测试。
7、PLATO 沉积耐受型号，薄膜沉积工艺中无需频繁取出清洗探针，可长期腔内在线监测，改善薄膜覆盖探针造成测量失效问题。
应用场景：1、高校科研院所等离子体物理实验室，ICP、CCP 等离子体基础研究。2、半导体工艺研发，刻蚀、PECVD、PVD、HiPIMS 工艺开发，等离子体参数标定。3、材料表面改性、磁控溅射、薄膜沉积设备工艺评估、设备故障诊断。4、脉冲射频、微波等离子体、部分常压等离子体特性检测。
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