超高真空分子束外延！ARIOS MBE 科研级薄膜生长装置

在半导体、量子材料等科研领域，分子束外延（MBE）是制备原子级精度超薄薄膜的核心技术。日本 ARIOS（アリオス）推出的 MBE 装置，凭借 20 余年的制造经验、全自主设计与超高真空性能，成为科研级薄膜生长的设备。

依托 ARIOS 的超高真空技术，对分子线源、基板加热机构等核心部件进行加热脱气处理，成膜室通入液体窒素时可实现 1×10⁻⁸Pa 以下的超高真空，从根源上杜绝杂质污染，保障薄膜的超高纯度与结晶质量。

装置标配 RHEED（反射高能电子衍射）、BFM（束流监测）、辐射热源等监测与控制模块，可根据科研需求灵活配置；支持 1"~6" 尺寸基板，适配 Ⅲ-Ⅵ 族等多种半导体材料体系。同时支持通过触控面板、序列程序实现排气、成膜等全工艺的自动运转，大幅降低人工操作误差，提升实验重复性；可搭配托洛奇搬运、转输室搬运系统，支持自动送样，适配连续实验需求。

从分子线源、RHEED 等核心部件到控制单元，全程由 ARIOS 自主研发制造，可根据客户需求进行精细化定制，实现短交期、高品质的特注品生产。装置搭载离子泵、涡轮分子泵等可自由组合的排气系统，基板加热温度 800℃，可选 1000℃高温款；标配 4~8 个分子线源，适配 5cc~100cc 容量，覆盖高低温工况；腔体采用 SUS 304/316L 材质，加热部选用 Mo、Ta 等耐高温材料，电源支持单相 AC100V 与三相 AC200V，满足不同实验室供电需求。

该设备广泛应用于半导体器件研发、量子材料生长、二维材料制备、光电薄膜研发等科研领域，是高校、科研院所、半导体企业研发中心的核心实验设备。